主题：国家发改委将推动新型电子器件产业化

综合媒体报道，国家发改委3月30日表示，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

　　2009年我国IGBT(绝缘栅双极晶体管)市场为53亿元左右，而未来几年随着节能减排的推进，IGBT市场规模将年增20%-30%。但是，由于我国只有少数小功率IGBT的封装线，还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力。因此目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口，IGBT供应主要控制在英飞凌、三菱、ABB、富士等外资巨头手中，技术上长期受制于人。对此，国家发改委明确表示，2010年将支持金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT、超快恢复二极管（FRD）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。

　　据悉，国家发改委将组织实施新型电力电子器件产业化专项，鼓励符合条件的企业申请国家补贴资金支持。国家补贴资金主要用于项目的研究开发、购置研究开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建设产业化或工程化验证成套装置和试验装置、建设必要的配套基础设施、购置必要的技术、软件等。


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研究课题九：功率器件抗幅照加固研究

◆具体要求：1、双极性晶体管芯片制造工艺研究。2、封装工艺开展核辐射加固技术的研究，3、满足核辐射加固试验条件保障。4、提升产品的成品率及质量等级，使器件达到宇航级质量等级要求，5、形成专利技术，

◆研究课题十：功率MOSFET器件制造工艺研究

◆具体要求：1、开展对功率MOSFET器件的芯片制造工艺研究，2、具备一定产业化生产能力。3、形成专利技术

◆依托企业：中国振华集团永光电子有限公司

◆工作地点：贵州省贵阳市

敢死队高位接盘进场的理由!

中国振华集团永光电子有限公司已去年成立大功率IGBT的封装,金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、相关课题,今年进入试产!

净利润只有3000万却在科研技改投入9000多万原来是为了它!投入是利润收益的三倍,超前独度眼光

研技改投入9000多万,要不09年业绩也不会那么难看了,假若加上这9000万,09年业绩应该是每股超0.4元,不惜血本啊